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APTGFQ25H120T2G

fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 40A 227W SP2
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
40 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP2
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
TNP e Fieldstop
Potência - Máximo:
227 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Configuração:
Ponte completa
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
APTGFQ25
Introdução
Módulo IGBT NPT e Fieldstop Full Bridge 1200 V 40 A 227 W através do buraco SP2
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MOQ: