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APTGT75H60T2G

fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição:
Módulo IGBT 600V 100A 250W SP2
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores IGBTs Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
600 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP2
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
250 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
4.62 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor completo da ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
APTGT75
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge Inverter 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SP2
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