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Produtos de semicondutor discretos
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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MG300HF12TLC2 |
Transistores - IGBTs - módulos C2
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Tecnologia Yangjie
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FS150R12PT4BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 200A 680W
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Tecnologias Infineon
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APTGT75TA120PG |
Módulo IGBT 1200V 100A 350W SP6P
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Tecnologia de microchip
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FP75R12KT4PB11BPSA1 |
IGBT MOD 1200V 150A 20MW
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Tecnologias Infineon
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FP7G50US60 |
Módulo IGBT 600V 50A 250W EPM7
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ONSEMI
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FZ900R12KP4HOSA1 |
Módulo IGBT 1200V 900A
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Tecnologias Infineon
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APT50GF120JRD |
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
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Tecnologia de microchip
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FF300R17ME4B11BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 375A 1800W
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Tecnologias Infineon
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FS25R12KT3BOSA1 |
IGBT MOD 1200V 40A 145W
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Tecnologias Infineon
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STGE200N60K |
Módulo IGBT 600V 150A ISOTOP
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STMicroelectrónica
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VS-CPV362M4UPBF |
Módulo IGBT 600V 7.2A 23W IMS-2
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Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
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BSM200GB60DLCHOSA1 |
IGBT MOD 600V 230A 730W
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Tecnologias Infineon
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FP15R12W1T7PB11BPSA1 |
Eficiência baixa EASY AG-EASY1B-2
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Tecnologias Infineon
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FF1200R17KE3NOSA1 |
Módulo IGBT VCES 1700V 1200A
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Tecnologias Infineon
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FF150R12KT3GHOSA1 |
IGBT MOD 1200V 225A 780W
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Tecnologias Infineon
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2LS20017E42W36702NOSA1 |
Módulo IGBT 1700V 20A
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Tecnologias Infineon
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APT100GT120JR |
IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
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Tecnologia de microchip
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FS100R17N3E4BOSA1 |
IGBT MOD 1700V 100A 600W
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Tecnologias Infineon
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MG10P12P2 |
Transistores - IGBTs - módulos P2
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Tecnologia Yangjie
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APTGV50H120T3G |
Módulo IGBT 1200V 75A 270W SP3
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Microsemi Corporation
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APT50GR120JD30 |
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
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Tecnologia de microchip
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APT50GP60JDQ2 |
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
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Tecnologia de microchip
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