FS200R07A1E3BOMA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Módulo IGBT HYBRID PK
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
250 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
HybridPACKTM1
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
650 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-HYBRID1-1
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
790 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FS200R07
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 650 V 250 A 790 W Montador do chassi AG-HYBRID1-1
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: