DDB6U75N16W1RBOMA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IGBT MOD 1200V 69A 335W
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
69 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
335 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.8 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DDB6U75
Introdução
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 69 A 335 W Módulo montado no chassi
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