MG75U12MRGJ
fabricante:
Tecnologia Yangjie
Descrição:
Transistores - IGBTs - módulos GJ
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SOT-227-4
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-227
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
100 μA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
420 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25 V
Configuração:
Solteiro
Termistor NTC:
- Não.
Introdução
Módulo IGBT único 1200 V 100 A 420 W Montador de chassi SOT-227
PRODUTOS CONEXOS
MG50P12E2A
Transistors - IGBTs - Modules E2
MG200HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG25P12E1A
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG150HF12LEC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG150HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG100HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG25P12P3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG100UZ12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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MG50P12E2A |
Transistors - IGBTs - Modules E2
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MG200HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
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MG25P12E1A |
Transistors - IGBTs - Modules E1
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MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
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MG150HF12LEC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
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MG150HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
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MG100HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
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MG25P12P3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
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MG100UZ12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
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MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
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