FP75R12N2T7PB11BPSA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Economia de baixa potência
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIM™ 2
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.8V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-ECONO2B
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
14 µA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
15.1 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 75 A 20 mW Montador do chassi AG-ECONO2B
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