NXH350N100H4Q2F2S1G
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
Módulo IC PWR 1000V 350A PIM42
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
303 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 375A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1000 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Mfr:
ONSEMI
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
276 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
24.146 nF @ 20 V
Configuração:
Inversor de três níveis
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
NXH350
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três níveis 1000 V 303 A 276 W Chassis Mount 42-PIM/Q2PACK (93x47)
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: