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fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
61 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
EMIPAK-1B
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.52V @ 15V, 30A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
EMIPAK-1B
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Temperatura de funcionamento:
150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
230 μA
Tipo IGBT:
Trincheira
Potência - Máximo:
216 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
3.34 nF @ 30 V
Configuração:
Inversor de três níveis
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
Cálculo da qualidade da água
Introdução
Módulo IGBT Trench Inverter de três níveis 1200 V 61 A 216 W Chassis Mount EMIPAK-1B
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