VS-GT200TS065N
fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
Modulos IGBT - IAP IGBT
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
193 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
FRED Pt®
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
650 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
INT-A-PAK IGBT
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Corrente - limite do colector (máximo):
100 μA
Tipo IGBT:
Trincheira
Potência - Máximo:
517 W
Input:
Padrão
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuração:
Meio inversor da ponte
Termistor NTC:
- Não.
Introdução
Módulo IGBT Trench Half Bridge Inverter 650 V 193 A 517 W Montador do chassi INT-A-PAK IGBT
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MOQ: