FF200R12KS4HOSA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
275 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
C
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
W 1400
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não.
Número do produto de base:
FF200R12
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente de montagem de chassi de 1200 V 275 A 1400 W
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MOQ: