FF200R12KT3EHOSA1
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 1050W
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
C
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Potência - Máximo:
1050 W
Tipo IGBT:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não.
Número do produto de base:
FF200R12
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente montado no chassi de 1200 V a 1050 W
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