APTGLQ100A120T3AG
fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 185A 650W SP3
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
185 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP3
Mfr:
Tecnologia de microchip
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
50 µA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
650 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
6.15 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
APTGLQ100
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Meia ponte 1200 V 185 A 650 W através do buraco SP3
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