FF800R17KP4B2NOSA2
fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
Módulo IGBT 1700V 800A
Categoria:
Produtos de semicondutor discretos
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-A
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
-
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A-IHV130-3
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
W 1200
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
65 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não.
Número do produto de base:
FF800R17
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1700 V 1200 A 1200 W Montador do chassi A-IHV130-3
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