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CPE
A EPC é líder em dispositivos de gestão de energia baseados em nitreto de gálio em modo de melhoria.A EPC foi a primeira a introduzir FETs de nitreto de gálio em silício (eGaN®) em modo de aprimoramento como substituto de MOSFET de potência em aplicações como conversores DC-DC, transferência de energia sem fios, rastreamento de envelope, transmissão de RF, inversores de potência, tecnologia de teledetecção (LiDAR),e amplificadores de áudio de classe D com desempenho do dispositivo muitas vezes maior do que os melhores MOSFETs de potência de silício.
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Conservado em estoque | RFQ | |
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EPC21601REGULAR |
IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
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Em estoque
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EPC21701 (em inglês) |
IC GAN LASER DRVR 80V
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Em estoque
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EPC21601 |
Conductor laser IC 40V 10A 3.3VLOGIC
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Em estoque
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EPC21603RESTRATUÇÃO |
IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
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Em estoque
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